在不同測(cè)試環(huán)境、不同溫度條件下可對(duì)微結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體器件、微電子器件及材料進(jìn)行電學(xué)特性表征測(cè)試?？梢詫?duì)材料或器件進(jìn)行電學(xué)特性測(cè)量、光電特性測(cè)量、參數(shù)測(cè)量、高阻測(cè)量、DC測(cè)量、RF測(cè)量和微波特性測(cè)量，廣泛應(yīng)用于半導(dǎo)體工業(yè)（芯片、晶圓片、封裝器件）、MEMS、超導(dǎo)、電子學(xué)、物理學(xué)和材料學(xué)等領(lǐng)域。

　　

　　高低溫半自動(dòng)探針臺(tái)在以下兩個(gè)應(yīng)用需要真空測(cè)試環(huán)境：

　　1、低溫測(cè)試：

　　因?yàn)榫A在低溫大氣環(huán)境測(cè)試時(shí)，空氣中的水汽會(huì)凝結(jié)在晶圓上，會(huì)導(dǎo)致漏電過(guò)大或者探針無(wú)法接觸電而使測(cè)試失敗。避免這些需要把真空腔內(nèi)的水汽在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

　　

　　2、高溫?zé)o氧化測(cè)試：

　　當(dāng)晶圓加熱至300℃,400℃,500℃甚至更高溫度時(shí)，氧化現(xiàn)象會(huì)越來(lái)越明顯，并且溫度越高氧化越嚴(yán)重。過(guò)度氧化會(huì)導(dǎo)致晶圓電性誤差，物理和機(jī)械形變。避免這些需要把真空腔內(nèi)的氧氣在測(cè)試前用泵抽走，并且保持整個(gè)測(cè)試過(guò)程泵的運(yùn)轉(zhuǎn)。

　　晶圓測(cè)試過(guò)程中溫度在低溫和高溫中變換，因?yàn)闊崦浝淇s現(xiàn)象，定位好的探針與器件電間會(huì)有相對(duì)位移，這時(shí)需要針座的重新定位，SEMISHARE針座位于腔體外部。我們也可以選擇使用操作桿控制的自動(dòng)化針座來(lái)調(diào)整探針的位置。